NTMFS0D5N04XLT1G

onsemi
863-NTMFS0D5N04XLT1G
NTMFS0D5N04XLT1G

制造商:

说明:
MOSFET 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

ECAD模型:
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库存量: 1,042

库存:
1,042
可立即发货
在途量:
1,500
预期 2026/8/28
生产周期:
52
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本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥38.2166 ¥38.22
¥25.2329 ¥252.33
¥17.8653 ¥1,786.53
¥15.3002 ¥7,650.10
¥14.3058 ¥14,305.80
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)
¥14.3058 ¥21,458.70

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
40 V
455 A
490 uOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
127 nC
- 55 C
+ 175 C
194 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 24 ns
正向跨导 - 最小值: 277 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns
系列: NTMFS0D5N04XL
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
马来西亚
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
日本
发货时,国家/地区可能会发生变化。

40V功率MOSFET

安森美(onsemi)40V功率MOSFET采用标准栅极电平技术,具有同类最佳的导通电阻。  安森美(onsemi)MOSFET设计用于电机驱动器应用。该器件具有更低导通电阻和更低栅极电荷,可有效地最大限度地降低导通和驱动损耗。此外,这些MOSFET还为体二极管反向恢复提供出色的软控制,有效降低电压尖峰压力而无需在应用中使用额外的缓冲电路。