NTMFS0D5N04XLT1G

Name: onsemi NTMFS0D5N04XLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D5N04XLT1G
Price: 30.52 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMFS0D5N04XLT1G

制造商编号：

NTMFS0D5N04XLT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

数据表:

NTMFS0D5N04XLT1G 数据表

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数量	单价	总价
	¥34.4876	¥34.49
	¥22.7469	¥227.47
	¥16.046	¥1,604.60
	¥14.5544	¥7,277.20
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥11.8311	¥17,746.65

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFNW-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	455 A
Rds On-漏源导通电阻:	490 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	127 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	194 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	24 ns
正向跨导 - 最小值:	277 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	10 ns
系列:	NTMFS0D5N04XL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	55 ns
典型接通延迟时间:	11 ns

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数据表

NTMFS0D5N04XLT1G 数据表

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

云电源管理解决方案

安森美 (onsemi) 云电源管理解决方案为基础设施提供必不可少的计算和连接功能，对于处理器、存储库和无线基站的供电至关重要。随着业务向云端转移，效率和可靠性的重要性日益凸显。AI服务器尤其需要可靠的电源来确保最佳性能和效率，因此对于AI驱动的业务来说，要维护其完整性和功能性，安森美解决方案不可或缺。安森美提供AC-DC转换、多相转换、负载点电源和热插拔保护等阵容丰富的解决方案，能满足云端基础设施的各类电源需求。凭借尖端的技术、可靠的性能和深厚的专业应用知识，无论是对于当前的基站、服务器还是数据中心，安森美都是理想的供电合作伙伴。

40V功率MOSFET

安森美（onsemi）40V功率MOSFET采用标准栅极电平技术，具有同类最佳的导通电阻。安森美（onsemi）MOSFET设计用于电机驱动器应用。该器件具有更低导通电阻和更低栅极电荷，可有效地最大限度地降低导通和驱动损耗。此外，这些MOSFET还为体二极管反向恢复提供出色的软控制，有效降低电压尖峰压力而无需在应用中使用额外的缓冲电路。