NTMFS0D5N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D5N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D5N04XMT1G
Price: 23.28 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMFS0D5N04XMT1G

制造商编号：

NTMFS0D5N04XMT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

数据表:

NTMFS0D5N04XMT1G 数据表

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预期 2026/5/15

7,500

预期 2026/6/12
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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥26.3064	¥26.31
	¥17.1195	¥171.20
	¥13.0741	¥1,307.41
	¥10.9158	¥5,457.90
	¥9.3451	¥9,345.10
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥8.9383	¥13,407.45

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	414 A
Rds On-漏源导通电阻:	520 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	97.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	163 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	7.91 ns
正向跨导 - 最小值:	267 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9.73 ns
系列:	NTMFS0D5N04XM
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	46.1 ns
典型接通延迟时间:	30 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NTMFS0D5N04XMT1G 数据表

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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