NTMFS0D7N04XLT1G

Name: onsemi NTMFS0D7N04XLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D7N04XLT1G
Price: 23.86 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTMFS0D7N04XLT1G

制造商编号：

NTMFS0D7N04XLT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE

数据表:

NTMFS0D7N04XLT1G 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	349 A
Rds On-漏源导通电阻:	700 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	96 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	167 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	245 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7 ns
系列:	NTMFS0D7N04XL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	64 ns
典型接通延迟时间:	25 ns

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数据表

NTMFS0D7N04XLT1G 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

40V功率MOSFET

安森美（onsemi）40V功率MOSFET采用标准栅极电平技术，具有同类最佳的导通电阻。安森美（onsemi）MOSFET设计用于电机驱动器应用。该器件具有更低导通电阻和更低栅极电荷，可有效地最大限度地降低导通和驱动损耗。此外，这些MOSFET还为体二极管反向恢复提供出色的软控制，有效降低电压尖峰压力而无需在应用中使用额外的缓冲电路。

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库存量: 5

库存：: 5 可立即发货

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生产周期：: 53 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥26.9618	¥26.96
	¥17.5376	¥175.38
	¥12.0797	¥1,207.97
	¥10.0909	¥5,045.45
	¥9.3451	¥9,345.10
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥9.3451	¥14,017.65

NTMFS0D7N04XLT1G

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