NTMFS0D9N04XLT1G

onsemi
863-NTMFS0D9N04XLT1G
NTMFS0D9N04XLT1G

制造商：

说明：
MOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1,251

库存：
1,251
可立即发货
在途量:
1,500
预期 2027/2/17
生产周期：
27
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.4646 ¥26.46
¥17.2099 ¥172.10
¥11.9893 ¥1,198.93
¥10.17 ¥5,085.00
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥8.5202 ¥12,780.30

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
278 A
900 uOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
70 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 178 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns
系列: NTMFS0D9N04XL
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 53 ns
典型接通延迟时间: 21 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

40V功率MOSFET

安森美（onsemi）40V功率MOSFET采用标准栅极电平技术，具有同类最佳的导通电阻。  安森美（onsemi）MOSFET设计用于电机驱动器应用。该器件具有更低导通电阻和更低栅极电荷，可有效地最大限度地降低导通和驱动损耗。此外，这些MOSFET还为体二极管反向恢复提供出色的软控制，有效降低电压尖峰压力而无需在应用中使用额外的缓冲电路。

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