NTMFS1D7N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS1D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS1D7N04XMT1G
Price: 14.35 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NTMFS1D7N04XMT1G

制造商编号：

NTMFS1D7N04XMT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NTMFS1D7N04XMT1G 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NTMFS1D7N04XMT1G详情

库存量: 772

库存：: 772 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 24 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥16.2155	¥16.22
	¥10.2604	¥102.60
	¥6.8365	¥683.65
	¥5.6048	¥2,802.40
	¥4.9155	¥4,915.50
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥4.5087	¥6,763.05
	¥4.1471	¥12,441.30
	¥4.0454	¥97,089.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	154 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	29 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	75 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	17 ns
正向跨导 - 最小值:	77 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	13 ns
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10 ns
典型接通延迟时间:	7 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NTMFS1D7N04XMT1G 数据表

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

T10低/中压MOSFET

安森美 (onsemi) T10低/中压MOSFET为40V/80V单通道N沟道功率MOSFET，具备性能提升、系统效率增强及高功率密度等特性。此系列功率MOSFET具有低R_DS(on) 和低电容特性，可将导通损耗和驱动损耗降至最低。T10低/中压MOSFET提供低Q_RR和软恢复体二极管。此系列MOSFET符合RoHS标准，不含铅、卤/溴化阻燃剂。典型应用包括DC-DC与AC-DC转换器中的同步整流（SR）、隔离式DC-DC转换器中的初级侧开关、电池保护和电机驱动器。