NTMYS020N08LHTWG

onsemi
863-NTMYS020N08LHTWG
NTMYS020N08LHTWG

制造商：

说明：
MOSFET T8 80V LL LFPAK

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 3,000

库存：
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52 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥23.3232 ¥23.32
¥22.2497 ¥222.50
¥15.4697 ¥1,546.97
¥12.5769 ¥6,288.45
¥11.6616 ¥11,661.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥7.5032 ¥22,509.60

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
80 V
30 A
25 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
12 nC
- 55 C
+ 175 C
42 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: SIngle
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 45 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 34 ns
系列: NTMYS020N08HL
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

单N沟道功率MOSFET

安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，占位面积小。这些功率MOSFET具有低RDS(ON) 、低QG 和低电容，最大限度地降低了导通损耗和驱动器损耗。这些MOSFET具有40V、60V和80V漏-源电压和±20V栅-源电压。安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET无铅，符合RoHS指令。

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