NTMYS1D2N04CLTWG

onsemi
863-NTMYS1D2N04CLTWG
NTMYS1D2N04CLTWG

制造商：

说明：
MOSFET T6 40V LL LFPAK

数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
258 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
52 nC
- 55 C
+ 175 C
134 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 22 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8.1 ns
系列: NTMYS1D2N04CL
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 79 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 75 mg
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

单N沟道功率MOSFET

安森美半导体单N沟道功率MOSFET是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET，具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低电容可最大限度降低驱动器损耗。这些单N沟道功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令，工作温度范围为- 55°C至175°。

Trench6 N沟道MV MOSFET

安森美（onsemi）Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。

库存量: 2,833

库存：
2,833 可立即发货
生产周期：
53 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥26.0578 ¥26.06
¥16.7918 ¥167.92
¥11.4921 ¥1,149.21
¥9.4242 ¥4,712.10
¥8.6897 ¥8,689.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥8.4411 ¥25,323.30
¥8.2151 ¥49,290.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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