NVMFS6H800NT1G

onsemi
863-NVMFS6H800NT1G
NVMFS6H800NT1G

制造商:

说明:
MOSFET TRENCH 8 80V NFET

ECAD模型:
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库存量: 14,874

库存:
14,874 可立即发货
生产周期:
24 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥48.477 ¥48.48
¥32.7587 ¥327.59
¥23.7413 ¥2,374.13
¥23.4136 ¥11,706.80
¥23.165 ¥23,165.00
整卷卷轴(请按1500的倍数订购)
¥19.1083 ¥28,662.45
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
80 V
203 A
2.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
85 nC
- 55 C
+ 175 C
200 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 85 ns
正向跨导 - 最小值: 138 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 89 ns
系列: NVMFS6H800N
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 97 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 750 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVMFS6H8x功率MOSFET

安森美半导体NVMFS6H8x功率MOSFET是80V、单N通道的小型器件,设计紧凑。这些功率MOSFET具有2.1mΩ、2.8mΩ和3.7mΩ电阻。这些器件的特性包括可最大限度降低导通损耗的低RDS(on)、低QG以及低电容。NVMFS6H8x功率MOSFET符合RoHS指令和AEC-Q101标准。这些功率MOSFET在-55°C至175°的温度范围内工作。

Trench8 MOSFET

onsemi Trench8 MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 Qg x RDS(ON),后者是功率转换应用MOSFET的关键品质因数 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基于T6技术的优化开关性能,与Trench6系列相比,Qg 和Qoss 分别降低了35%至40%。Onsemi Trench8 MOSFET采用多种封装类型,设计灵活。符合AEC-Q101标准,并具有PPAP功能,适合用于汽车应用。其中许多器件采用侧面可润湿封装,可进行自动光学检测(AOI)。