NVMFS6H801NT1G

Name: onsemi NVMFS6H801NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6H801NT1G
Price: 22.69 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

863-NVMFS6H801NT1G

制造商编号：

NVMFS6H801NT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET TRENCH 8 80V NFET

数据表:

NVMFS6H801NT1G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解onsemi NVMFS6H801NT1G详情

库存量: 13,717

库存：: 13,717 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 23 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥25.6397	¥25.64
	¥18.7806	¥187.81
	¥13.1532	¥1,315.32
	¥11.413	¥5,706.50
	¥10.4186	¥10,418.60
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥9.4242	¥14,136.30
	¥9.1869	¥27,560.70

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SO-8FL-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	157 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	64 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	166 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	19 ns
正向跨导 - 最小值:	128 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	74 ns
系列:	NVMFS6H801N
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	70 ns
典型接通延迟时间:	25 ns
单位重量:	750 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

NVMFS6H801NT1G 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NVMFS6H8x功率MOSFET

安森美半导体NVMFS6H8x功率MOSFET是80V、单N通道的小型器件，设计紧凑。这些功率MOSFET具有2.1mΩ、2.8mΩ和3.7mΩ电阻。这些器件的特性包括可最大限度降低导通损耗的低R_DS(on)、低Q_G以及低电容。NVMFS6H8x功率MOSFET符合RoHS指令和AEC-Q101标准。这些功率MOSFET在-55°C至175°的温度范围内工作。

Trench8 MOSFET

onsemi Trench8 MOSFET具有低最大导通电阻 (R_DS(ON))、超低栅极电荷 (Q_g) 和低 Q_g x R_DS(ON)，后者是功率转换应用MOSFET的关键品质因数 (FOM)。Trench8 MOSFET具有基于T6技术的优化开关性能，与Trench6系列相比，Q_g 和Q_oss 分别降低了35%至40%。Onsemi Trench8 MOSFET采用多种封装类型，设计灵活。符合AEC-Q101标准，并具有PPAP功能，适合用于汽车应用。其中许多器件采用侧面可润湿封装，可进行自动光学检测（AOI）。