PMDXB550UNEZ

Name: Nexperia PMDXB550UNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDXB550UNEZ
Price: 3.88 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

771-PMDXB550UNEZ

制造商编号：

PMDXB550UNEZ

制造商：

Nexperia

说明：

MOSFET SOT1216 2NCH 30V .59A

数据表:

PMDXB550UNEZ 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Nexperia PMDXB550UNEZ详情

供货情况

库存：: 0

您可以延期订购此产品。

出现意外错误。请稍候重试。
在途量:: 140,000

预期 2027/2/8
生产周期：: 8

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按5000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥4.3844	¥4.38
	¥2.6668	¥26.67
	¥1.7063	¥170.63
	¥1.2769	¥638.45
	¥1.03395	¥1,033.95
	¥1.02604	¥2,565.10
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥0.89383	¥4,469.15
	¥0.78535	¥7,853.50
	¥0.77744	¥19,436.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-1010-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	590 mA
Rds On-漏源导通电阻:	670 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 8 V, 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	450 mV
Qg-栅极电荷:	1.05 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	4.03 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Nexperia
配置:	Dual
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
下降时间:	3 ns
正向跨导 - 最小值:	600 mS
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7 ns
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	12 ns
典型接通延迟时间:	4 ns
零件号别名:	934069326147
单位重量:	1.290 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PMDXBx 20V 沟槽式 MOSFET

恩智浦 PMDXBx 20V 沟槽式 MOSFET 是一款采用无铅超小型 SOT1216 表面贴装器件（SMD）塑料封装的增强模式场效应晶体管（FET)。这些器件采用沟槽式 MOSFET 技术，具备热传导性能出色的暴露型漏极垫，具有 >1kV HBM ESD 保护功能，并提供 470mΩ 漏极-源极导通电阻。PMDXBx MOSFET 提供双 N 和 P 沟道版本。这些 MOSFET 特别适合继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关、开关电路等应用。
了解更多

PMDXB550UNE双N沟道MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE双N沟道MOSFET是一款具有低阈值电压的表面贴装器件。这款30V增强模式场效应晶体管 (FET) 具有裸露漏极焊盘，可实现出色的热传导和ESD保护。典型应用包括继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关和开关电路。PMDXB550UNE MOSFET采用沟槽式MOSFET技术设计，可采用无引线超小型DFN1010B-6 (SOT1216) 塑料封装。