TGF2929-FS

Qorvo
772-TGF2929-FS
TGF2929-FS

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN

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产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
NI-360
N-Channel
28 V
12 A
- 7 V, + 2 V
- 2.9 V
144 W
商标: Qorvo
湿度敏感性: Yes
封装: Tray
产品类型: GaN FETs
系列: TGF2929
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
技术: GaN-on-SiC
类型: RF Power MOSFET
零件号别名: TGF2929 1123716
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TGF2929 GaN RF Power Transistors

Qorvo TGF2929 GaN RF Power Transistors are discrete GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMTs (High-Electron Mobility Transistor) that operate from DC to 3.5GHz. They are constructed with the QGaN25HV process, which features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization can potentially lower system costs in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.

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