UF3C120080B7S

Name: onsemi UF3C120080B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C120080B7S
Price: 131.54 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

431-UF3C120080B7S

制造商编号：

UF3C120080B7S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

数据表:

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	¥105.7906	¥1,057.91
	¥99.7564	¥9,975.64
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥93.1346	¥74,507.68

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	28.8 A
Rds On-漏源导通电阻:	85 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	6 V
Qg-栅极电荷:	23 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	190 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SiC FET
商标:	onsemi
合规:	Done
配置:	Single
下降时间:	9 ns, 8 ns
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	7 ns, 6 ns
系列:	UF3C
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	30 ns
典型接通延迟时间:	31 ns, 33 ns

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

采用D2-PAK封装的UF3C碳化硅FET

Qorvo UF3C碳化硅FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装，基于独特的共源共栅电路配置，具有出色的反向恢复性能。在共源共栅电路配置中，常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装，形成常关型SiC FET器件。这些碳化硅FET具有低体二极管、低栅极电荷和4.8V阈值电压，可实现0V至15V驱动。这些D2-PAK碳化硅FET器件具有ESD保护功能，封装爬电距离和电气间隙为 >6.1mm。场效应晶体管的标准栅极驱动特性可直接替代Si IGBT、硅场效应晶体管、SiC MOSFET或Si超级结。它们有1200V和650V漏源击穿电压型号可供选择，非常适用于任何受控环境，如电信和服务器电源、工业电源、电机驱动器和感应加热。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.