UF3SC065030B7S

onsemi
431-UF3SC065030B7S
UF3SC065030B7S

制造商:

说明:
碳化硅MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-7

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

供货情况

库存:
0

您可以延期订购此产品。

在途量:
800
预期 2027/2/25
生产周期:
26
大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥192.1452 ¥192.15
¥138.877 ¥1,388.77
¥138.4702 ¥13,847.02
整卷卷轴(请按800的倍数订购)
¥129.2833 ¥103,426.64

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
62 A
27 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
43 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
SiC FET
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 11 ns, 9 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: SiC FETs
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 26 ns, 28 ns
系列: UF3SC
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
技术: SiC
类型: SiC FET
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
单位重量: 4.675 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

采用D2-PAK封装的UF3SC高性能碳化硅FET

Qorvo UF3SC高性能碳化硅FET采用D2-PAK-7L (7引脚Kelvin封装),基于独特的“共源共栅”电路配置,具有出色的反向恢复特性。此 电路配置包括一个与Si MOSFET共同封装的常开SiC JFET,以打造常闭SiC FET器件。UF3SC FET具有标准栅极驱动特性,支持真正的 “直接替换” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超级结器件。这些高性能碳化硅FET的最高工作温度为175°C,低栅极电荷为43nC,典型阈值电压为5V。典型应用包括 电信和服务器电源、电机驱动器、感应加热和工业电源。

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650V和1200V高性能碳化硅FET

Qorvo UF3SC 650V和1200V高性能SiC FET是碳化硅器件,具有7mΩ至45mΩ的低RDS(on),可实现快速开关和更低的开关损耗。这些器件基于独特的共源共栅电路配置,具有超低栅极电荷。级联配置采用常开SiC JFET与硅MOSFET共同封装,以产生常闭SiC FET器件。UF3SC FET具有标准栅极驱动特性,可真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或硅超结器件。这些碳化硅FET具有低内在电容和出色的反向恢复性能。Qorvo UF3SC FET的工作温度范围为-55°C至+175°C,栅极-源极电压范围为-20V至+20V。这些碳化硅FET非常适合用于电动汽车(EV)充电、光伏(PV)逆变器、电机驱动器、开关模式电源、功率因数校正 (PFC) 模块和感应加热。Qorvo UF3SC碳化硅FET采用TO-247-3L和TO-247-4L封装选项,可实现更快开关和干净的栅极波形。