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半导体
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无源元件
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嵌入式解决方案
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工具与耗材

光电子产品

连接器

电源

未分类
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS
MACOM GaN 场效应晶体管 490W, GaN HEMT, 48V, 2110-2200MHz, 248pp
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

MACOM GaN 场效应晶体管 490W, GaN HEMT, 48V, 2110-2200MHz, 248pp
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 490W, GaN HEMT, 48V, 2110-2200MHz, 248pp
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

MACOM GaN 场效应晶体管 490W, GaN HEMT, 48V, 2110-2200MHz, 248pp
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250


MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250


MACOM GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 50
倍数： 50
: 50

MACOM GaN 场效应晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

MACOM GaN 场效应晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

MACOM GaN 场效应晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM GaN 场效应晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

MACOM GaN 场效应晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM 射频放大器 180W GaN HEMT 50V 2.7 to 3.1GHz Pill 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM 射频开发工具 Amp 1030MHz
数据表
无库存
最低： 2
倍数： 2
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50