IS20M8R0S1P

Name: iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M8R0S1P
Price: 43.19 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

25-IS20M8R0S1P

制造商编号：

IS20M8R0S1P

制造商：

iDEAL Semiconductor

说明：

MOSFET N-CH 200V 128A TO-220

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

IS20M8R0S1P 数据表 (PDF)

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¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
	¥48.8047	¥48.80
	¥31.9338	¥319.34
	¥23.4927	¥2,349.27
	¥20.9276	¥10,463.80
	¥18.4416	¥18,441.60
	¥17.6167	¥44,041.75
	¥16.7918	¥83,959.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	iDEAL Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	200 V
Id-连续漏极电流:	128 A
Rds On-漏源导通电阻:	8.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.1 V
Qg-栅极电荷:	73 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	333 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	iDEAL Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	5.5 ns
正向跨导 - 最小值:	37 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5.9 ns
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	41.8 ns
典型接通延迟时间:	18.7 ns

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SuperQ Intro

合规代码

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for high-efficiency SMPS and motor drive applications. This MOSFET delivers low R_DS(on)and Q_SW,resulting in lower switching losses and reduced heat dissipation at both full and partial loads. Typical applications include motor control, boost converters, and SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.