FDMC7570S

Name: onsemi FDMC7570S
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC7570S
Price: 17.35 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

512-FDMC7570S

制造商编号：

FDMC7570S

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 25V 40A 2mOhm N-CH PowerTrench SyncFET

数据表:

FDMC7570S 数据表

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥19.6055	¥19.61
	¥12.5769	¥125.77
	¥8.5202	¥852.02
	¥6.8026	¥3,401.30
	¥5.9551	¥5,955.10
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥5.7065	¥17,119.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	Power-33-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.7 V
Qg-栅极电荷:	68 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	59 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SyncFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	4.5 ns
正向跨导 - 最小值:	154 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6.8 ns
系列:	FDMC7570S
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	34 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
单位重量:	32.130 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

FDMC7570S 数据表

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FDMx75x PowerTrench® MOSFETs & SyncFETs™

onsemi FDMx757x PowerTrench^® MOSFETs and SyncFETs™ combine exceptional performance and high efficiency. The FDMC7570S and FDMC7572S PowerTrench SyncFETs are designed to minimize switching losses in power conversion applications. These SyncFETs offer low ON-resistance, maintain excellent switching performance, and add the benefit of an efficient monolithic Schottky body diode. The onsemi FDMS7578 and FDMS75780 MOSFETs improve the overall efficiency and minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs are optimized for low gate charge, low on-resistance, fast switching speed, and body diode reverse recovery performance.