TKx硅N沟道MOSFET

Toshiba TKx硅N沟道MOSFET有U-MOSX-H和DTMOSVI类型可供选择，具有卓越的性能特性。这些MOSFET的设计具有快速反向恢复时间，通过减少关断和导通状态之间的延迟，从而可提高高速开关应用的效率。低漏极-源极导通电阻[RDS(on)]有助于将功率损耗降至最低，并可改善热管理，使其成为处理大电流并具有低能量耗散应用的理想选择。

结果: 20
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 O@10V, TOLL, DTMOS?
数据表
1,800库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TOLL, DTMOS?
数据表
1,800库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
数据表
1,997库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
数据表
1,998库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TOLL, DTMOS?
数据表
2,000库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
数据表
2,000库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
数据表
73库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO247 650V 1.69A N-CH
数据表
205库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
数据表
381库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
数据表
284库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH
数据表
350库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH
数据表
312库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH
数据表
306库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH
数据表
209库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
数据表
16库存量
100预期 2026/5/27
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TO-247, DTMOS?
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-220SIS, DTMOS?
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-247, DTMOS?
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
数据表
50库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
数据表
3库存量
150预期 2026/6/15
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube