700V CoolGaN™ G5功率晶体管

Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管代表功率转换技术的重大进步。这些氮化镓 (GaN) 晶体管设计工作在高频下具有出色的效率，使超快速开关成为可能并最大限度地降低能量损耗。700V CoolGaN G5系列采用常闭的增强模式晶体管，确保安全运行和高可靠性。这些晶体管具有低栅极与输出电荷，支持高功率密度设计，并降低了系统BOM成本。

结果: 7
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
数据表
1,792库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V - 10 V 1.6 V 1.9 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
数据表
4,888库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 13 A 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
数据表
5,130库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.26 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
数据表
1,924库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.3 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
数据表
1,924库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1 nC - 40 C + 150 C 18 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
数据表
1,096库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 600 mOhms - 10 V 1.6 V 0.53 nC - 40 C + 150 C 11 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN 场效应晶体管 CoolGaN Transistor 700 V G5
数据表
4,994预期 2026/2/23
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolGaN