FGHL50T65SQDT

Name: onsemi FGHL50T65SQDT
Brand: onsemi
SKU: 863-FGHL50T65SQDT
Price: 46.85 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-FGHL50T65SQDT

制造商编号：

FGHL50T65SQDT

制造商：

onsemi

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD

数据表:

FGHL50T65SQDT 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.47 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	100 A
Pd-功率耗散:	268 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	FGHL50T65SQDT
封装:	Tube
商标:	onsemi
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	30
子类别:	IGBTs

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数据表

FGHL50T65SQDT 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 捷克共和国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 捷克共和国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FGHL50T65SQDT IGBT

安森美半导体FGHL50T65SQDT IGBT是第四代场终止型IGBT，具有最佳性能。这些IGBT可轻松并联运行，具有低导通和开关损耗。安森美半导体FGHL50T65SQDT非常适合用于需要低导通和开关损耗的应用，包括太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、电信、储能系统 (ESS) 和功率因数校正 (PFC)。