NTH4L025N065SC1

onsemi
863-NTH4L025N065SC1
NTH4L025N065SC1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 118

库存：
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生产周期：
17 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥156.3355 ¥156.34
¥116.4691 ¥1,164.69
¥114.4012 ¥11,440.12
¥111.9152 ¥50,361.84

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
99 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
348 W
Enhancement
EliteSiC
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 27 S
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 19 ns
系列: NTH4L025N065SC1
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTH4L025N065SC1 19mΩ碳化硅MOSFET

安森美 (onsemi)  NTH4L025N065SC1 19mΩ碳化硅MOSFET采用TO-247-4L封装，运行速度快，坚固耐用。安森美 (onsemi)  NTH4L025N065SC1器件的介电击穿场强度达10倍之高，电子饱和速度达2倍之高。这些MOSFET还具有3倍的能量带隙和3倍的导热性。所有  安森美 (onsemi)  碳化硅MOSFET包括符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能的选项，专门设计用于汽车和工业应用并符合相应标准。  

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低RDS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。

650V碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美（onsemi）650V碳化硅 (SiC) MOSFET与硅器件(Si)相比可提供出色的开关性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。

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