XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET半桥模块

英飞凌科技的 ™ 2 MOSFET半桥模块专为从1.7kV 到3.3kV的™应用而设计，具有三个AC端子和四个 DC端子，以最大限度地提高载流能力。XHP 2帧大小的简单可扩展性，得益于基本的模块化概念，使这些模块为未来数代的芯片和快速开关设备做好准备，从而实现低损耗。这些模块采用低电感设计，具有低开关损耗和大电流 密度。机械方面，这些模块具有高功率密度，采用比较耐漏电起痕指数(CTI)大于600的封装，可确保较长的爬电距离和电气间隙。铝碳化硅 (AlSiC) 基板可增强热循环能力，使这些模块非常适合用于要求苛刻的应用。

结果: 9
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 2.3 kV 2000 A 2.88 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V + 150 C 20 mW XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 2300 V
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 2.3 kV 1500 A 3.84 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V + 150 C 20 mW XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC /
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP2 module with CoolSiC Trench MOSFET and NTC
数据表
3预期 2026/3/5
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 2.3 kV 1500 A 3.84 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V + 150 C 20 mW XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP HV
数据表

SiC Screw Mount N-Channel 2.4 mOhms - 10 V, + 23 V 3.45 V - 40 C + 175 C XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP HV
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount N-Channel 3.3 kV 720 A 3.1 mOhms - 7 V, + 20 V 3.45 V - 40 C + 175 C XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 XHP HV
数据表

SiC Screw Mount XHP 2 N-Channel 3.3 kV 500 A 4.8 mOhms - 7 V, + 20 V 4.3 V 20 mW XHP 2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half-bridge module 2300 V
数据表
更多信息可用

SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 2.3 kV 2000 A 2.88 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V + 150 C 20 mW XHP 2 Tray