GANB8R0-040CBAZ

Nexperia
771-GANB8R0-040CBAZ
GANB8R0-040CBAZ

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16

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产品属性 属性值 选择属性
Nexperia
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
WLCSP-16
N-Channel
1 Channel
40 V
14 A
8 mOhms
8 V
2.4 V
10.1 nC
- 40 C
+ 125 C
15 W
GaN
商标: Nexperia
配置: Single
最大漏极/栅极电压: 40 V
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: GaN FETs
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Bi-Directional Gallium Nitride FET
零件号别名: 934667631341
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

GANB8R0-040CBA双向GaN FET

Nexperia GANB8R0-040CBA双向氮化镓 (GaN) FET是一款40V、8.0mΩ双向GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用紧凑型1.7mm x 1.7mm晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) 。 这款常闭型增强模式设备具有超高切换速度和低导通电阻，使Nexperia GANB8R0-040CBA非常适合用于需要高效电源管理和大功率密度的应用。 该设备的双向能力和卓越性能使其适用于高侧负载开关、过压保护和直流-直流转换器。

库存量: 2,071

库存：
2,071 可立即发货
生产周期：
4 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥20.1027 ¥20.10
¥12.9046 ¥129.05
¥8.7688 ¥876.88
¥6.9947 ¥3,497.35
¥6.4297 ¥6,429.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥6.3167 ¥15,791.75
¥5.8308 ¥29,154.00
¥5.7856 ¥57,856.00
25,000 报价
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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