GANB8R0-040CBAZ

Name: Nexperia GANB8R0-040CBAZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GANB8R0-040CBAZ
Price: 17.57 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

771-GANB8R0-040CBAZ

制造商编号：

GANB8R0-040CBAZ

制造商：

Nexperia

说明：

GaN 场效应晶体管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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¥-.--

总价:

¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥19.8541	¥19.85
	¥12.8255	¥128.26
	¥8.7688	¥876.88
	¥6.9947	¥3,497.35
	¥6.4297	¥6,429.70
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥5.8195	¥14,548.75
	¥5.2432	¥26,216.00
	¥5.1754	¥51,754.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WLCSP-16
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	14 A
Rds On-漏源导通电阻:	8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.4 V
Qg-栅极电荷:	10.1 nC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
Pd-功率耗散:	15 W
商标:	Nexperia
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
最大漏极/栅极电压:	40 V
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品:	GaN FETs
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	Bi-Directional Gallium Nitride FET
零件号别名:	934667631341

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数据表

GANB8R0-040CBAZ 数据表 (PDF)

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GANB8R0-040CBA双向GaN FET

Nexperia GANB8R0-040CBA双向氮化镓 (GaN) FET是一款40V、8.0mΩ双向GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用紧凑型1.7mm x 1.7mm晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) 。这款常闭型增强模式设备具有超高切换速度和低导通电阻，使Nexperia GANB8R0-040CBA非常适合用于需要高效电源管理和大功率密度的应用。该设备的双向能力和卓越性能使其适用于高侧负载开关、过压保护和直流-直流转换器。