QPD1025L射频输入匹配晶体管

Qorvo QPD1025L射频输入匹配晶体管是一款分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),工作频率范围为1.0GHz至1.1GHz。这些晶体管具有22.5dB线性增益、1800W输出功率、65V工作电压以及脉冲和连续波功能。QPD1025L晶体管采用工业标准气腔型封装,非常适合用于IFF应答器、航空电子设备和测试仪器仪表。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Vgs - 栅极-源极电压 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散
Qorvo GaN 场效应晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN 13库存量
最低: 1
倍数: 1

Screw Mount NI-1230-4 HEMT 2 Channel 65 V 28 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 685 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V 无库存交货期 20 周
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT NI-1230-4 28 A - 40 C + 85 C 758 W