Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed to deliver high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications. These MOSFETs are available in 650V and 1200V variants and feature a low forward voltage drop, high switching speeds, and robust reliability, making the MOSFETs ideal for industrial power supplies, energy storage, motor driving, data centers, server farms, and electric vehicle (EV) charging. These APC-E SiC MOSFETs are engineered to improve energy efficiency, reduce system size and weight, and enable modern system architectures. The devices are paired with custom-designed gate drivers to ensure optimal performance and reliability.

结果: 20
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
APC-E 碳化硅MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Industrial Grade
数据表
288库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Industrial Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 98 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 40 nC - 55 C + 175 C 151 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 65 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Automotive Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Automotive Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 57 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Industrial Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 160 A 16 mOhms - 10 V, 25 V 3.6 V 213 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
数据表
300库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 145 A 13 mOhms 18 V + 175 C
APC-E 碳化硅MOSFET 650V 27mR, SAPKG-9L, Automotive Grade
数据表
600预期 2026/8/28
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 600

SMD/SMT SAPKG-9L N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 87 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 650V 35mR, TO-247-4L, Automotive Grade
300预期 2026/4/3
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L 650 V
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 20mR, TO-247-4L, Industrial Grade
数据表
300预期 2026/4/3
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 26 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 403 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 650V 27mR, TO-247-4L, Industrial Grade
数据表
300预期 2026/3/27
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 650 V 76 A 35 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 175 C 298 W Enhancement
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 30mR, TO-247-4L, Industrial Grade
数据表
300预期 2026/3/27
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 42 mOhms - 10 V, 25 V 4.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement

APC-E 碳化硅MOSFET 650V 65mR, TO-247-3L, Automotive Grade
300预期 2026/5/1
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E 碳化硅MOSFET 650V 35mR, TO-247-4L, Industrial Grade
300预期 2026/4/3
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4L 650 V

APC-E 碳化硅MOSFET 650V 65mR, TO-247-3L, Industrial Grade
300预期 2026/5/1
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3L 650 V
APC-E 碳化硅MOSFET 1700V 1000mR, TO247-3L, Industrial Grade
数据表
300预期 2026/3/27
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 1.7 kV 6.8 A 1 kOhms 20 V + 175 C
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 75mR, TO247-4L, Automotive Grade
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 41 A 75 mOhms 15 V + 175 C
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 32mR, TO247-4L, Industrial Grade
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 77 A 32 mOhms 15 V + 175 C
APC-E 碳化硅MOSFET 1200V 75mR, TO247-4L, Industrial Grade
数据表
无库存交货期 15 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1.2 kV 35 A 75 mOhms 15 V + 175 C