TO-247-4薄型1200V SiC功率MOSFET

Wolfspeed TO-247-4薄型1200V碳化硅(SiC)功率MOSFET具有高速开关、低电容、高阻断电压和低导通电阻。这些功率MOSFET可降低开关损耗和冷却要求，并最大限度地减少栅极振铃。1200V SiC功率MOSFET集成了一个具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。这些功率MOSFET提高了功率密度和系统开关频率。1200V碳化硅功率MOSFET采用经过优化的封装，具有独立的驱动源引脚，采用薄型TO-247-4封装主体。这些功率MOSFET不含卤素，符合RoHS指令。典型应用包括电机控制、电动汽车电池充电器、高压直流/直流转换器、太阳能/ESS、UPS和企业级PSU。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 21m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
数据表
409库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 16m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
数据表
790库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
数据表
109库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
数据表
220库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 160m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
数据表
382库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4LP 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 32m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
数据表
450预期 2026/9/17
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement