STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE 功率 MOSFET

STMicroelectronics STH315N10F7 STripFET™ VII DeepGATE™ 功率 MOSFET 是 AEC-Q101 汽车级 N 沟道功率 MOSFET,它具有同类最佳的导通状态电阻以及很低的内部电容和栅极电荷,从而提高了传导和开关效率。这些器件采用 TO-220 或 2 引脚或 6 引脚 H2PAK 行业标准封装,可帮助设计人员减小电路板尺寸,提高功率密度。STH315N10F7 MOSFET 还具有很高的雪崩耐受性,可承受可能的破坏性条件。这些 STripFET VII DeepGATE MOSFET 有 100V 的额定电压,提供充足的安全裕量,可承受典型的过压浪涌。STH315N10F7 STripFET VII DeepGATE MOSFET 还非常适合于需要高耐受性能的汽车和开关应用。
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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 2,895库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 889库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Tube