SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 71.22 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-SGT65R65AL

制造商编号：

SGT65R65AL

制造商：

STMicroelectronics

说明：

GaN 场效应晶体管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥80.4786	¥80.48
	¥55.6638	¥556.64
	¥45.3243	¥4,532.43
	¥44.9966	¥22,498.30
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥39.0415	¥117,124.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	25 A
Rds On-漏源导通电阻:	65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	+ 6 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.8 V
Qg-栅极电荷:	5.4 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	305 W
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
湿度敏感性:	Yes
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	GaN FETs
系列:	SGT
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
技术:	GaN-on-Si
晶体管类型:	E-Mode
类型:	RF Power MOSFET
单位重量:	76 mg

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ECCN:: EAR99

SGT65R65AL e-mode PowerGaN晶体管

STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN晶体管是650V、25A晶体管，采用成熟的封装技术。STMicroelectronics SGT65R65AL采用G-HEMT器件，其具有极低的导通损耗、高电流能力和超快开关操作。该器件可实现高功率密度和出色的效率性能。

SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN Transistors are high‑performance, enhancement‑mode (normally‑off) GaN devices designed to deliver exceptionally fast switching, low conduction losses, and high power density across demanding power‑conversion applications. These transistors leverage Gallium Nitride’s wide‑bandgap advantages to achieve extremely low capacitances, minimal gate charge, and zero reverse‑recovery charge, enabling superior efficiency compared to traditional silicon power switches.