TP65H050G4WS

Renesas Electronics
227-TP65H050G4WS
TP65H050G4WS

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

数据表:
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库存量: 768

库存：
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥87.5976 ¥87.60
¥52.4433 ¥524.43
¥44.5785 ¥4,457.85
¥41.358 ¥37,222.20

产品属性 属性值 选择属性
Renesas Electronics
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
34 A
60 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
119 W
Enhancement
商标: Renesas Electronics
配置: Single
下降时间: 10.9 ns
封装: Tube
产品类型: GaN FETs
上升时间: 11.3 ns
工厂包装数量: 900
子类别: Transistors
技术: GaN
典型关闭延迟时间: 88.3 ns
典型接通延迟时间: 49.2 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650 V 34 A GaN FET

Renesas Electronics 650V 34A GaN（氮化镓）FET是常关型器件，采用Renesas Electronics第四代平台。 此系列FET集高压GaN HEMT和低压硅MOSFET于一体。第四代SuperGaN®平台采用先进的外延工艺和专利设计技术，不仅简化了制造流程，还通过降低栅极电荷、输出电容、开关交叉损耗和反向恢复电荷，实现了高于硅基器件的效率。与传统硅基FET相比，GaN FET有着先天的优越性能，具备更快的开关速度和更优的热性能。

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