CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 1400V碳化硅 (SiC) G2 MOSFET采用TO-247PLUS-4回流焊封装。这些英飞凌MOSFET非常适合用于高输出功率应用,例如电动汽车 (EV) 充电、电池储能系统 (BESS)、商用/建筑/农业车辆 (CAV) 等。CoolSiC™ MOSFET G2 1400V技术是一项尖端技术,具有更好的热性能、更高的功率密度和更高的可靠性。该封装具有回流焊能力(可进行3次回流焊),能让热阻更低。

结果: 10
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 225库存量
最低: 1
倍数: 1

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 209库存量
最低: 1
倍数: 1

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 207库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 238库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 224库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 11库存量
240预期 2026/4/23
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC DISCRETE
240预期 2026/3/26
最低: 1
倍数: 1

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC DISCRETE
224预期 2026/2/19
最低: 1
倍数: 1

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC DISCRETE
240预期 2026/2/19
最低: 1
倍数: 1

CoolSiC
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET SIC DISCRETE
240预期 2026/2/19
最低: 1
倍数: 1

CoolSiC