FFSP碳化硅肖特基二极管

安森美半导体FFSP碳化硅肖特基二极管旨在充分利用碳化硅器件相对于硅 (Si) 器件的优势。FFSP碳化硅肖特基二极管具有更高的正向浪涌能力、更低的反向漏电流并且无无反向恢复电流。另外,这些碳化硅肖特基二极管还具有与温度无关的开关特性和出色的散热性能。这样可以提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸并降低成本。

结果: 11
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 配置 If - 正向电流 Vrrm - 重复反向电压 Vf - 正向电压 Ifsm - 正向浪涌电流 Ir - 反向电流 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 12A SIC SBD 804库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 12 A 650 V 1.5 V 70 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP1265A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO220 SBD 8A 650V 1,316库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 49 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP0865A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO220 SBD 10A 650V 757库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 56 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP1065A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V 16A SIC SBD 263库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP1665A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC SBD 8A 760库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 1.2 kV 1.45 V 68 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP08120A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V SiC SBD 15A 570库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 15 A 1.2 kV 1.45 V 115 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP15120A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC TO220 SBD 20A 650V 764库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 650 V 1.5 V 105 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP2065A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 1200V 20A Silicon Carbide Schtky Diode 105库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 1.2 kV 1.45 V 135 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP20120A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 650V SiC SBD 30A 132库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 30 A 650 V 1.5 V 150 A 200 uA - 55 C + 175 C FFSP3065A Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE 650V 10A 850库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.38 V 45 A 40 uA - 55 C + 175 C FFSP1065B Tube
onsemi 碳化硅肖特基二极管 SIC DIODE 650V 20A
799预期 2026/3/17
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 650 V 1.38 V 84 A 40 uA - 55 C + 175 C FFSP2065B Tube