NTD5Cx功率MOSFET

安森美半导体NTD5Cx功率MOSFET是单N通道MOSFET,具有低RDS(on),可最大限度降低导通损耗,还具有低QG和低电容,可将驱动器损耗降至最低。这些功率MOSFET具有40V和60V漏源电压 (VDS)。NTD5Cx功率MOSFET具有-55°C至175°的工作温度范围和结温范围。NTD5Cx MOSFET器件无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

onsemi MOSFET 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET 16,893库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 21.5 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 90 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTD5C632NLT4G
onsemi MOSFET T6 60V LL DPAK 2,014库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 155 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 78 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel