NTD5Cx功率MOSFET
安森美半导体NTD5Cx功率MOSFET是单N通道MOSFET,具有低RDS(on),可最大限度降低导通损耗,还具有低QG和低电容,可将驱动器损耗降至最低。这些功率MOSFET具有40V和60V漏源电压 (VDS)。NTD5Cx功率MOSFET具有-55°C至175°的工作温度范围和结温范围。NTD5Cx MOSFET器件无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。
安森美半导体NTD5Cx功率MOSFET是单N通道MOSFET,具有低RDS(on),可最大限度降低导通损耗,还具有低QG和低电容,可将驱动器损耗降至最低。这些功率MOSFET具有40V和60V漏源电压 (VDS)。NTD5Cx功率MOSFET具有-55°C至175°的工作温度范围和结温范围。NTD5Cx MOSFET器件无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令。