onsemi NTD5Cx功率MOSFET
安森美半导体NTD5Cx功率MOSFET是单N通道MOSFET，具有低RDS(on)，可最大限度降低导通损耗，还具有低QG和低电容，可将驱动器损耗降至最低。这些功率MOSFET具有40V和60V漏源电压 (VDS)。NTD5Cx功率MOSFET具有-55°C至175°的工作温度范围和结温范围。NTD5Cx MOSFET器件无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。
特性
- 低RDS(on) 值，可最大限度降低导通损耗
- 低QG 值和低电容，可最大限度降低驱动器损耗
- -55°C至175°C的工作温度范围和结温范围
- 这些器件无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 | Vds-漏源极击穿电压 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | Qg-栅极电荷 | Pd-功率耗散 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD86540 |  |
MOSFET 60V 50A 4.1ohm NCh PowerTrench MOSFET | 60 V | 21.5 A | 5 mOhms | 90 nC | 127 W |
| NTD5C632NLT4G | |
MOSFET T6 60V LL DPAK | 60 V | 155 A | 2.5 mOhms | 78 nC | 115 W |
发布日期: 2018-07-01
| 更新日期: 2023-06-26