1200V sic mosfet

Microchip Technology 1200V SIC MOSFET解决方案更轻、更紧凑,且具有高效率。这些器件的内部栅极电阻(ESR)较低,因此具有快速切换速度。MOSFET驱动简单,易于并联,具有更好的热性能和更低的开关损耗。

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch 115库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch 65库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch 115库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch 115库存量
最低: 1
倍数: 1

Thorugh Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch 120库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch 117库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch 81库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology 碳化硅MOSFET MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement