BSS138AK沟道沟槽式MOSFET

Nexperia  BSS138AK N沟道沟槽式MOSFET是采用小型表面贴装封装的增强模式场效应晶体管 (FET)。这些器件采用沟槽式MOSFET技术,并与逻辑电平兼容。符合AEC-Q101标准的BSS138AK MOSFET非常适合用于继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关和开关电路应用。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装

Nexperia MOSFET SOT363 2NCH 60V .22A 8,300库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT323 N-CH 60V .22A 9,757库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 270 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET BSS138AKRA-Q/SOT1268/DFN1412-6 383库存量
10,000预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT DFN1412-6 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 60V .25A
30,000预期 2026/8/20
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT TO-236AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BSS138AKQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
9,770预期 2027/2/8
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT DFN1110D-3 N-Channel 1 Channel 60 V 340 mA 2.8 Ohms - 20 V, 20 V 1.5 V 210 pC - 55 C + 175 C 6.9 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel