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Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
09/29/2025
采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
MLPAK33（SOT8002-3）SMD塑料封装中的P沟道 FET采用沟槽MOSFET技术。
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
P沟道FET搭载Trench MOSFET技术，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装。 
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
30V、P沟道FET采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。 
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
04/14/2025
60V和100V MOSFET，专为各种应用中的高效电源管理而设计。
Nexperia NX5020x N沟道增强模式FET
Nexperia NX5020x N沟道增强模式FET
04/01/2025
这些设备采用沟槽MOSFET技术，具有非常低的阈值电压和非常快的开关速度。
Nexperia 专用功率MOSFET
Nexperia 专用功率MOSFET
01/21/2025
综合成熟的MOSFET专业技术和对广泛的应用的理解，形成不断壮大的产品系列。
Nexperia 用于热插拔和软启动的CCPAK ASFET
Nexperia 用于热插拔和软启动的CCPAK ASFET
01/08/2025
在单个器件中提供可靠的线性模式、增强的SOA和低RDS(on) 。
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
08/30/2024
基于沟槽14低阻值分离栅极技术，采用LFPAK56E封装。
Nexperia NSF0x0120 N通道碳化硅MOSFET
Nexperia NSF0x0120 N通道碳化硅MOSFET
07/01/2024
采用标准7引脚TO-263塑料封装，具有出色的RDS(on) 温度稳定性。
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
06/24/2024
80V、标准电平栅极驱动MOSFET，具有低Qrr，实现更高效率和更低尖峰。
Nexperia 2N7002AK沟道沟槽式MOSFET
Nexperia 2N7002AK沟道沟槽式MOSFET
04/04/2024
通过AEC-Q101认证的小型SMD塑料封装，采用沟槽式MOSFET技术。
Nexperia BSS138AK沟道沟槽式MOSFET
Nexperia BSS138AK沟道沟槽式MOSFET
04/04/2024
符合AEC-Q101标准的N沟道增强模式场效应晶体管(FET)，采用小型SMD封装。
Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET
Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET
04/04/2024
100V、53mΩ ASFET在紧凑的2mm x 2mm占位面积中集成了增强型SOA。
Nexperia PSMN071-100NSE N沟道ASFET
Nexperia PSMN071-100NSE N沟道ASFET
02/28/2024
设计用于继电器替代、浪涌管理和电池管理应用。
Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET
Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET
02/28/2024
采用节省空间的LFPAK56封装，非常适合无刷直流电机控制应用。 
Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET
02/23/2024
设计和测试符合AEC-Q101的要求，具有高性能和高耐用性。
Nexperia PSMN025 N沟道MOSFET
Nexperia PSMN025 N沟道MOSFET
05/19/2023
双标准电平N沟道MOSFET，采用LFPAK56D（双电源SO8）封装。
Nexperia PSMN028 N沟道MOSFET
Nexperia PSMN028 N沟道MOSFET
05/19/2023
双标准电平N沟道MOSFET，采用LFPAK56D（双电源SO8）封装。
Nexperia PSMN1R9和PSMN2R3 N沟道MOSFET
Nexperia PSMN1R9和PSMN2R3 N沟道MOSFET
02/27/2023
设计用于实现超高性能和可靠性。
Nexperia SOT8015表面贴装封装产品
Nexperia SOT8015表面贴装封装产品
07/26/2022
采用塑料、无引线、超薄小外形封装，具有侧面可湿性侧翼 (SWF)。
Nexperia SOT23表面贴装封装产品
Nexperia SOT23表面贴装封装产品
07/26/2022
采用塑料、表面贴装、三个端子、1.9mm脚距、2.9mm x 1.3mm x 1mm封装。
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    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    IXYS X4-Class Power MOSFETs
    02/02/2026
    Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    onsemi NVBYST0D6N08X 80 V N沟道功率MOSFET
    12/26/2025
    该器件具有低QRR和软恢复体二极管，采用TCPAK1012 (TopCool) 封装。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET
    12/23/2025
    凭借广泛的产品组合确立了行业性能基准。
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    onsemi NVMFD5877NL双N沟道MOSFET
    12/19/2025
    专为紧凑高效的设计而打造，具有优异的热性能。
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    onsemi FDC642P-F085小信号MOSFET
    11/25/2025
    采用高性能沟槽技术，具备极低RDS(on)和快速开关速度。
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    onsemi NTTFS007P02P8 P沟道低/中压MOSFET
    11/25/2025
    采用PowerTrench技术打造，具备极低RDS(on)、快速开关性能及耐用性。
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
    11/24/2025
    Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
    onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
    onsemi NVD6824NL单N沟道MOSFET
    11/20/2025
    具备低RDS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。
    onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVD5867NL单N沟道功率MOSFET
    11/20/2025
    具有60V漏源电压、39mΩ漏源导通电阻，并通过AEC-Q101认证。
    onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS5830NL单N沟道功率MOSFET
    11/19/2025
    一款高效的单N沟道功率MOSFET，专为高要求电源管理应用而设计。
    onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
    11/19/2025
    专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。
    Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
    Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
    10/31/2025
    具有快速开关性能和低栅极电荷特性，最大漏源电压为60V。
    Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
    Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW双N沟道增强模式MOSFET
    10/31/2025
    将两个MOSFET集成到单个PowerDI® 5mm x 6mm封装中，具有优异的散热性能。
    Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
    Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N沟道增强模式MOSFET
    10/21/2025
    具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    Toshiba TPH2R70AR5 N沟道MOSFET
    Toshiba TPH2R70AR5 N沟道MOSFET
    10/17/2025
    该器件适用于高功效的直流-直流转换器，采用SOP Advance (N)封装。
    ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
    ROHM Semiconductor RD3x汽车N沟道功率MOSFET
    10/16/2025
    AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。
    onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
    onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET
    10/14/2025
    封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。
    onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVNJWS200N031L单N沟道功率MOSFET
    10/14/2025
    该器件具有低RDS(on) 和低栅极阈值特性，采用可湿性侧翼封装。
    IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
    IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
    10/08/2025
    基于陶瓷的隔离封装提高了整体Rth(j-s) 和功率处理能力。
    onsemi T10低/中压MOSFET
    onsemi T10低/中压MOSFET
    10/06/2025
    40V和80V单通道N沟道MOSFET，具备更优性能与更高系统效率。 
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7优化40V功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 7优化40V功率MOSFET
    10/02/2025
    为驱动器、电源和园艺工具中的高效电源转换提供定制解决方案。
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET
    Infineon Technologies N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET
    09/30/2025
    高性能N沟道晶体管专为要求苛刻的电源转换应用而设计。
    Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
    Nexperia MLPAK33-WF封装的BUK7Q N沟道MOSFET
    09/29/2025
    采用沟槽9技术，符合AEC-Q101要求。
    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    09/09/2025
    逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
    onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
    onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET
    09/08/2025
    优化用于高效开关应用的强大20V、890mA N沟道功率MOSFET。
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