碳化硅 (SiC) 功率器件

ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍,而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍,因此,SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻,以及较高的工作温度,进而可降低功耗,缩小模块尺寸。此外,设计时所需要的元器件数也更少,降低了设计复杂度。

分离式半导体类型

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结果: 60
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY 2,719库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY 3,968库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N 360库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 AECQ 1,924库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC, SBD 650V 20A DPAK 2,142库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 AECQ 506库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N 199库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N 393库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N 1,629库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 DIODE: 10A 600V 627库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N 376库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 AECQ 798库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC 1,494库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-3PFM-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS 695库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N 477库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 DIODE: 6A 600V 649库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC 1,021库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N 506库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC, SBD 650V 12A DPAK 576库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N 352库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen 6,417库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N 376库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor MOSFET模块 Mod: 1200V 120A (w/ Diode) 11库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET模块 Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD 12库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N 428库存量
最低: 1
倍数: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3