N 通道 PowerMESH 功率 MOSFET

STMicroelectronics N 通道 PowerMESH 功率 MOSFET 设计采用了 STMicroelectronics 基于合并带状布局的 MESH OVERLAY™ 工艺。 此工艺可使先进的家用高压功率 MOSFET 获得优异的性能。 强化布局加上专有的边缘终端结构缔造了最低的单位面积 RDS(on) 、无与伦比的栅极电荷以及开关特性。
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结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
数据表
707库存量
¥55.1666
¥28.6229
¥26.216
¥23.5718
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2.6 A 13 Ohms 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V PowerMesh
数据表
1,339库存量
¥67.1672
¥40.3636
¥36.1487
¥31.8434
¥28.702
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms 30 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
数据表
10库存量
4,200预期 2027/1/8
¥38.9624
¥22.9164
¥18.2834
¥15.7974
查看
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET PowerMESH MOSFET
数据表
56库存量
5,000预期 2027/7/9
¥50.3754
¥27.3799
¥24.9843
¥23.3232
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 5 Ohms 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
数据表
27,354在途量
剪切带
¥59.1442
¥39.6178
¥30.2727
¥27.1313
卷轴
¥22.4983
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000
Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement PowerMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
数据表
900预期 2027/6/25
¥59.7205
¥31.188
¥28.6229
¥26.1369
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube