N 通道 PowerMESH 功率 MOSFET

STMicroelectronics N 通道 PowerMESH 功率 MOSFET 设计采用了 STMicroelectronics 基于合并带状布局的 MESH OVERLAY™ 工艺。 此工艺可使先进的家用高压功率 MOSFET 获得优异的性能。 强化布局加上专有的边缘终端结构缔造了最低的单位面积 RDS(on) 、无与伦比的栅极电荷以及开关特性。
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结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
STMicroelectronics MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
数据表
5,873库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement PowerMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
数据表
1,125库存量
2,250预期 2026/6/18
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
数据表
1,361库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET PowerMESH MOSFET
数据表
852库存量
3,000预期 2026/6/29
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
数据表
843库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2.6 A 13 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V PowerMesh
数据表
759库存量
1,200预期 2026/6/10
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube