QPD1013SR

Name: Qorvo QPD1013SR
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1013SR
Price: 1198.63 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

772-QPD1013SR

制造商编号：

QPD1013SR

制造商：

Qorvo

说明：

GaN 场效应晶体管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%

数据表:

QPD1013SR 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-6
晶体管极性:	N-Channel
Id-连续漏极电流:	1.7 A
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
Pd-功率耗散:	67 W
商标:	Qorvo
配置:	Single Triple Drain
开发套件:	QPD1013EVB01
增益:	21.8 dB
最大漏极/栅极电压:	65 V
最大工作频率:	2.7 GHz
最小工作频率:	1.2 GHz
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	178 W
封装:	Reel
产品类型:	GaN FETs
系列:	QPD1013
工厂包装数量:	100
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	HEMT
零件号别名:	QPD1013
单位重量:	7.792 g

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数据表

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8517620090
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8517620000
ECCN:: EAR99

QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。