Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

半导体类型

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结果: 51
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, QUA动态随机存取存储器, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 419库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 124库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 178库存量
500预期 2026/5/29
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 88库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 4,255库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 2,449库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310库存量
最低: 1
倍数: 1


ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 1,611库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

ISSI 静态随机存取存储器 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo 静态随机存取存储器 539库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 4Mx16 70ns A-Temp 254库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 Asynch/Pg 4Mx16 55ns 867库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器 2M x 16 70ns 215库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 942库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1,887库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 170库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 316库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 138库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8 180库存量
500预期 2026/6/22
最低: 1
倍数: 1


ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 758库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 475库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 408库存量
2,880预期 2026/9/11
最低: 1
倍数: 1

ISSI 静态随机存取存储器 Pseudo 静态随机存取存储器 64Mb 1,884库存量
最低: 1
倍数: 1

ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 842库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500