SCT018W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018W65G3-4AG
Price: 116.31 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-SCT018W65G3-4AG

制造商编号：

SCT018W65G3-4AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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	¥101.7452	¥1,017.45
	¥98.4343	¥9,843.43
	¥95.8692	¥57,521.52
1,200	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	HiP-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	55 A
Rds On-漏源导通电阻:	27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 18 V, + 18 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.2 V
Qg-栅极电荷:	77 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 200 C
Pd-功率耗散:	398 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	29 ns
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	13 ns
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	64 ns
典型接通延迟时间:	24.5 ns

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ECCN:: EAR99

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻R_DS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。

SCTWA90N65G2Vx 650V功率MOSFET

STMicroelectronics SCTWA90N65G2Vx 650V功率MOSFET是碳化硅 (SiC) MOSFET，具有18mΩ（典型值）和119A（额定值）特性。这些功率MOSFET采用HiP247和HiP247-4封装。SCTWA90N65G2Vx 650V功率MOSFET具有极低的栅极电荷和输入电容、高速开关性能以及源极传感引脚，可提高效率。这些MOSFET采用ST先进的创新第二代碳化硅MOSFET技术开发而成。应用包括可再生能源系统用电源、高频直流/直流转换器、充电站、开关模式电源、直流/直流转换器和工业电机控制。

650碳化硅 (SiC) MOSFET

STMicroelectronics 650碳化硅 (SiC) MOSFET具有极低的每区域导通电阻 (R_DS(on)) 以及出色的开关性能。这样即可实现更加高效、紧凑的系统。与硅MOSFET相比，碳化硅MOSFET即使在高温下也具有较低的每区域导通电阻。与各种温度范围内的优秀IGBT相比，碳化硅MOSFET还具有出色的开关性能。这样可以简化电力电子系统的热设计。