SIR870DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SIR870DP-T1-GE3
SIR870DP-T1-GE3

制造商:

说明:
MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S)

ECAD模型:
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库存量: 8,570

库存:
8,570 可立即发货
生产周期:
4 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥18.6902 ¥18.69
¥14.1476 ¥141.48
¥10.9158 ¥1,091.58
¥9.7632 ¥4,881.60
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥8.3507 ¥25,052.10
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
100 V
60 A
5 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
84 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 80 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns
系列: SIR
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: SIR870DP-GE3
单位重量: 506.600 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

ThunderFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix ThunderFET® Power MOSFETs provide low values of on-resistance for 100V MOSFETs with 4.5V ratings. The lower on-resistance translates into lower conduction losses and reduced power consumption for energy-saving green solutions. Vishay / Siliconix ThunderFET Power MOSFETs are optimized for primary-side switching and secondary-side synchronous rectification in isolated DC/DC power supply designs for telecom brick and bus converter applications. The 4.5V rating for on-resistance allows a wide range of PWM and gate driver ICs to be considered.

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合,适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

SiR870DP 100V功率MOSFET

Vishay Siliconix SiR870DP 100V N通道TrenchFET®功率MOSFET采用ThunderFET®技术,具有业界最低的导通电阻7.8mΩ(4.5V时)。Vishay Siliconix SiR870DP还具有业界最低的导通电阻6mΩ(10V时)。这些Vishay Siliconix ThunderFET装置在4.5V时还具有业界最低的优质因数(FOM)208 mΩ-nC。低导通电阻转换成较低的导电损耗并可降低节能环保解决方案中的功耗。SiR870DP 100V TrenchFET功率MOSFET设计用于较高的频率和开关应用。
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