RF3L05150CB4

STMicroelectronics
511-RF3L05150CB4
RF3L05150CB4

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics RF3L05150CB4详情

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
本产品所报告的交付时间长。
最少： 100   倍数： 100
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴（请按100的倍数订购）
¥1,234.4572 ¥123,445.72

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
28 V
1 Ohms
945 MHz
16 dB
150 W
+ 200 C
Through Hole
LBB-4
Reel
商标: STMicroelectronics
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 100
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
单位重量: 2.400 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

USHTS:
8541290055
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

RF3L05150CB4射频功率LDMOS晶体管

STMicroelectronics RF3L05150CB4射频功率LDMOS晶体管是一款150W、28/32V LDMOS FET，设计用于宽带通信和ISM应用。STM RF3L05150CB4 LDMOS晶体管设计用于频率为HF至1GHz的应用。RF3L05150CB4可用于AB、B或C类，用于所有典型调制格式。

LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。