FGB5065G2-F085

Name: onsemi FGB5065G2-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FGB5065G2-F085
Price: 60.64 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

863-FGB5065G2-F085

制造商编号：

FGB5065G2-F085

制造商：

onsemi

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263 (HV/HE)

数据表:

FGB5065G2-F085 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
封装 / 箱体:	D2PAK-3
安装风格:	SMD/SMT
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	685 V
集电极—射极饱和电压:	1.56 V
在25 C的连续集电极电流:	78 A
Pd-功率耗散:	300 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	FGB5065G2-F085
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	800
子类别:	IGBTs

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数据表

FGB5065G2-F085 数据表

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 美国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

FGB5065G2-F085 EcoSD® 2 HV-HE IGBT

安森美（onsemi） FGB5065G2-F085 EcoSPARK® 2 HV-HE绝缘栅极双极晶体管（IGBT）是一款650V N沟道点火器件，用于PTC加热器和大电流系统应用。FGB5065G2-F085符合AEC-Q101标准，工作温度范围为-55°C至+175°C，在+25°C时SCIS能量为500mJ。应用包括大电流系统、PTC加热器电路、汽车和其他坚固型应用。