NVT201xN0 M2 SiC N沟道MOSFET

与现存的Si技术相比，安森美 (onsemi) NVT201xN0 M2 SiC N沟道MOSFET提供更高的电压操作、更宽的温度范围和更高的开关频率。这些MOSFET提供较低的有效输出电容和超低的栅极电荷，从而实现更低的切换损耗和更高的切换速度能力。安森美 (onsemi) NVT201xN0 M2 SiC N沟道MOSFET经100% UIS测试，且符合AEC-Q101标准。