IGOT65R055D2AUMA1

Infineon Technologies
726-IGOT65R055D2AUMA
IGOT65R055D2AUMA1

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

寿命周期:
新产品:
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库存量: 623

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥60.9635 ¥60.96
¥39.3692 ¥393.69
¥29.945 ¥2,994.50
¥24.069 ¥12,034.50
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥23.2441 ¥18,595.28

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: ID
扩散国家: AT
原产国: ID
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: Power Transistors
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: GaN Power Transistor
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolGan™ 600V e-Mode功率晶体管

英飞凌CoolGan™ 600V增强模式 (e-Mode) 功率晶体管可实现更简单的半桥拓扑，具有快速导通和关断速度。此款稳健可靠的晶体管采用高性能SMD封装，可充分利用GaN的优势。 该晶体管具有高效率、高功率密度、更高的工作频率能力和更低的EMI。应用包括电信/数据通信/服务器SMPS、无线充电、充电器和适配器。

CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管

英飞凌CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管采用高效GaN（氮化镓）晶体管技术，可在高达650V的电压范围内进行功率转换。 英飞凌的GaN技术通过端到端的大规模量产，使E模式（增强模式）概念走向成熟。这种开创性的质量确保了最高标准，并提供了最可靠的性能。增强模式CoolGaN™ Gen 2 650V功率晶体管具有超快开关速度，可提高系统效率和功率密度。

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