IGOT65R055D2AUMA1

Infineon Technologies
726-IGOT65R055D2AUMA
IGOT65R055D2AUMA1

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 HV GAN DISCRETES

寿命周期:
新产品:
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库存量: 730

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥57.0763 ¥57.08
¥41.7761 ¥417.76
¥33.7531 ¥3,375.31
¥30.0241 ¥15,012.05
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥25.7301 ¥20,584.08

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
HEMT
1 Channel
650 V
66 mOhms
- 10 V
1.6 V
6.6 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: Power Transistors
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: GaN Power Transistor
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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