结果: 10
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名

onsemi 碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L 569库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L 3,923库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800
SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS 60MOHM 900V 1,276库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L 334库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L 交货期 18 周
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L 590库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 677库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC
onsemi 碳化硅MOSFET SIC MOS TOLL 650V 1,374库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,000

SMD/SMT PSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi 碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L 212库存量
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC