NTHL022N120M3S

Name: onsemi NTHL022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL022N120M3S
Price: 127.08 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTHL022N120M3S

制造商编号：

NTHL022N120M3S

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

数据表:

NTHL022N120M3S 数据表

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	¥143.6004	¥143.60
	¥104.5476	¥1,045.48
	¥101.9938	¥10,199.38

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	68 A
Rds On-漏源导通电阻:	30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.4 V
Qg-栅极电荷:	139 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	352 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
下降时间:	14 ns
正向跨导 - 最小值:	34 S
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	50 ns
系列:	NTHL022N120M3S
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	44 ns
典型接通延迟时间:	19 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NTHL022N120M3S 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTHL022N120M3S EliteSiC碳化硅MOSFET

安森美（onsemi）NTHL022N120M3S EliteSiC碳化硅MOSFET是一款1200V、M3S平面器件，针对快速开关应用进行了优化。平面技术可靠地与负栅极电压驱动一起工作，并消除了栅极上的尖峰。NTHL022N120M3S在使用18V栅极驱动器驱动时具有最佳性能，但也适用于15V栅极驱动器。NTHL022N120M3S采用TO-247-3L封装，非常适合工业、UPS/ESS、太阳能和电动汽车充电器应用。

M3S EliteSiC MOSFET

安森美 (onsemi) M3S EliteSiC MOSFET 是适用于采用硬开关拓扑的高频开关应用解决方案。安森美 (onsemi) M3S MOSFET旨在优化性能和效率。与1200V 20mΩ M1同类产品相比，该设备的总开关损耗 (Etot) 显著降低了约40%。M3S EliteSiC MOSFET非常适合各种应用，包括太阳能发电系统、车载充电器和电动汽车 (EV) 充电站。