iS20M028S1P

Name: iDEAL Semiconductor iS20M028S1P
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M028S1P
Price: 34.2 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

25-IS20M028S1P

制造商编号：

iS20M028S1P

制造商：

iDEAL Semiconductor

说明：

MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

iS20M028S1P 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解iDEAL Semiconductor iS20M028S1P详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	iDEAL Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	200 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.6 V
Qg-栅极电荷:	26.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	100 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SuperQ
封装:	Tube
商标:	iDEAL Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	11.3 ns
正向跨导 - 最小值:	16 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	1.9 ns
系列:	200V
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	24.7 ns
典型接通延迟时间:	8.5 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

iS20M028S1P 数据表 (PDF)

Product Catalogs

Aerospace and Defense (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for SMPS and high-efficiency motor drives. The iDEAL Semiconductor iS20M028S1P MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package. Featuring best-in-class R_DS(on), Q_SW, and E_OSS, this MOSFET minimizes heat dissipation at both full and partial loads. Applications include motor control, boost converters, SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.