iS20M028S1P

iDEAL Semiconductor
25-IS20M028S1P
iS20M028S1P

制造商：

说明：
MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解iDEAL Semiconductor iS20M028S1P详情

库存量: 1,839

库存：
1,839 可立即发货
生产周期：
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥36.1261 ¥36.13
¥21.2779 ¥212.78
¥16.6788 ¥1,667.88
¥14.1589 ¥7,079.45

产品属性 属性值 选择属性
iDEAL Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
40 A
25 mOhms
- 20 V, 20 V
3.6 V
26.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
SuperQ
Tube
商标: iDEAL Semiconductor
配置: Single
下降时间: 11.3 ns
正向跨导 - 最小值: 16 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 1.9 ns
系列: 200V
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 24.7 ns
典型接通延迟时间: 8.5 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

Product Catalogs

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M028S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for SMPS and high-efficiency motor drives. The iDEAL Semiconductor iS20M028S1P MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package. Featuring best-in-class RDS(on), QSW, and EOSS, this MOSFET minimizes heat dissipation at both full and partial loads. Applications include motor control, boost converters, SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。