QPD1029L

Qorvo
772-QPD1029L
QPD1029L

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr

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20 周 预计工厂生产时间。
最少: 18   倍数: 18
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¥14,547.1567 ¥261,848.82

产品属性 属性值 选择属性
Qorvo
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
商标: Qorvo
最大工作频率: 1.4 GHz
最小工作频率: 1.2 GHz
湿度敏感性: Yes
输出功率: 1.5 kW
封装: Waffle
产品类型: GaN FETs
系列: QPD1029L
工厂包装数量: 18
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: HEMT
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USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99

QPD1029L GaN射频IMFET晶体管

Qorvo QPD1029L GaN射频内部匹配FET (IMFET) 晶体管是一款1500W (P3dB) 分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)。此射频IMFET的工作频率范围为1.2GHz至1.4GHz。QPD1029L晶体管可轻松实现与外部电路板匹配,并且节省电路板空间。此Qorvo晶体管是符合RoHS指令的器件。QPD1029L IMFET晶体管器件采用行业标准气腔封装,非常适合用于雷达。