NVH4L020N090SC1

Name: onsemi NVH4L020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L020N090SC1
Price: 277.5 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVH4L020N090SC1

制造商编号：

NVH4L020N090SC1

制造商：

onsemi

说明：

碳化硅MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

数据表:

NVH4L020N090SC1 数据表

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	¥232.3506	¥2,323.51
	¥222.836	¥26,740.32
1,020	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
封装 / 箱体:	TO-247-4
商标名:	EliteSiC
商标:	onsemi
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
系列:	NVH4L020N090SC1
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
技术:	SiC

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数据表

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

900V EliteSiC（碳化硅）MOSFET

安森美（onsemi）900V EliteSiC（碳化硅）MOSFET采用的技术与硅器件相比，可提供出色的开关性能和更高的可靠性。而且，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸可确保低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括高效率、更快工作频率、更高功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。

M2 EliteSiC MOSFET

安森美M2 EliteSiC MOSFET提供650VMHz、750VMHz和1200V电压选项。安森美M2 MOSFET有多种封装可供选择，包括D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD和TO-247-4LD。MOSFET在设计和实施方面提供了灵活性。此外，M2 EliteSiC MOSFET具有+22V/-8V的最大栅极-源极电压、低R_DS(on) 和长短路耐受时间（SCWT）。